单晶硅正温度系数片式热敏电阻器及其制备方法

摘要

本发明涉及一种较为简便的单晶硅正温度系数片式热敏电阻器及其制备方法，该电阻器是以单晶硅为敏感体，采用单片式结构，在敏感体两端制备端电极，端电极由内到外包括镍电极和银电极两层。本发明采用双层电极的方法实现单晶硅材料和金属电极的欧姆接触。先对硅片表面镀镍，制备出镍电极，划片后用沾银机在芯片的两端制备出银电极。内层的镍和单晶硅材料形成欧姆接触，这样借助于中间化学镀镍层实现了硅晶体和电极间比较好的欧姆接触。所制备的正温度系数热敏电阻器温度系数稳定，线性好，可靠性高。本发明制备工艺简单，生产效率高，一致性好，制造成本低，适合大批量生产。

主权项

1、一种单晶硅正温度系数片式热敏电阻器，其特征在于是以单晶硅为敏感体，采用单片式结构，在敏感体两端制备端电极，端电极由内到外包括镍电极和银电极两层。