发明名称 CMOS芯片的闩锁效应测试方法和系统
摘要 本发明提供了一种CMOS芯片的闩锁效应测试方法和系统,应用于具有电源管脚、接地管脚、输入管脚、输出管脚及悬空焊垫的芯片,该方法可以包括:将待测芯片的电源管脚和输入管脚上电;所述输入管脚包括:时钟管脚、重启管脚、测试模式管脚,及其他处于输入状态的I/O管脚;确定待测芯片的被测管脚;通过重启管脚,将待测芯片重启,使其悬空的I/O焊垫状态确定;通过被测管脚对待测芯片进行闩锁效应测试。本发明实现在不增加外围电路的情况下有效避免具有悬空I/O焊垫的待测芯片电源管脚与地之间产生的不稳定的大电流,使待测芯片的闩锁效应测试结果不会受到影响。
申请公布号 CN101398468A 申请公布日期 2009.04.01
申请号 CN200810224119.1 申请日期 2008.10.16
申请人 北京中星微电子有限公司 发明人 宋鑫欣
分类号 G01R31/28(2006.01)I 主分类号 G01R31/28(2006.01)I
代理机构 北京国昊天诚知识产权代理有限公司 代理人 顾惠忠
主权项 1、一种CMOS芯片的闩锁效应测试方法,其特征在于,所述芯片具有电源管脚、接地管脚、输入管脚、输出管脚及悬空焊垫,所述方法包括以下步骤:将待测芯片的电源管脚和输入管脚上电;所述输入管脚包括:时钟管脚、重启管脚、测试模式管脚,及其他处于输入状态的I/O管脚;确定待测芯片的被测管脚;通过重启管脚,将待测芯片重启,使其悬空的I/O焊垫状态确定;通过被测管脚对待测芯片进行闩锁效应测试。
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