| 发明名称 | 晶圆背面减薄方法 | ||
| 摘要 | 一种晶圆背面减薄方法，包括，对于晶圆背面进行研磨达到研磨停止厚度；去除两片晶圆粘合时或晶圆置于支撑载体上时的晶圆边缘间隙范围的晶圆圆周边缘；对于晶圆背面进行研磨达到减薄厚度。所述晶圆背面减薄方法由于解决了晶圆背面减薄时容易使晶圆边缘发生弯曲甚至断裂的问题，从而提高了晶圆减薄的质量。 | ||
| 申请公布号 | CN101399195A | 申请公布日期 | 2009.04.01 |
| 申请号 | CN200710046484.3 | 申请日期 | 2007.09.26 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 黄河;高大为;蒲贤勇;毛剑宏 |
| 分类号 | H01L21/302(2006.01)I;H01L21/304(2006.01)I;H01L21/3065(2006.01)I;H01L21/306(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/302(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 逯长明 |
| 主权项 | 1. 一种晶圆背面减薄方法，其特征在于，包括下列步骤，去除两片晶圆粘合时或晶圆置于支撑载体上时的晶圆边缘间隙范围的晶圆圆周边缘；对于晶圆背面进行研磨达到减薄厚度。 | ||
| 地址 | 201203上海市浦东新区张江路18号 | ||