发明名称 | 背照式传感器 | ||
摘要 | 本发明公开一种背照式影像传感器,其包括具有前表面与背表面的半导体基材。多个影像传感元件位于基材的前表面。至少有一个影像传感元件包括传输栅极和光传感器,其中该传输栅极包括位于光传感器上方的光反射层。在一个实施例中,该栅极至少占光电流产生区上方面积的5%。本发明能够解决穿通问题,并提高影像传感元件的灵敏度。 | ||
申请公布号 | CN101399276A | 申请公布日期 | 2009.04.01 |
申请号 | CN200810005307.5 | 申请日期 | 2008.01.30 |
申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 许慈轩;杨敦年;王俊智 |
分类号 | H01L27/146(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/146(2006.01)I |
代理机构 | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人 | 陈 晨 |
主权项 | 1. 一种背照式传感器,包括:半导体基材,具有前表面与后表面;及多个影像传感元件,位于该半导体基材的前表面,其中至少一个影像传感元件包含传输晶体管和光传感器,其中该传输晶体管的栅极包含反射层,其中该传输晶体管位于该光传感器的上方。 | ||
地址 | 中国台湾新竹市 |