发明名称 背照式传感器
摘要 本发明公开一种背照式影像传感器,其包括具有前表面与背表面的半导体基材。多个影像传感元件位于基材的前表面。至少有一个影像传感元件包括传输栅极和光传感器,其中该传输栅极包括位于光传感器上方的光反射层。在一个实施例中,该栅极至少占光电流产生区上方面积的5%。本发明能够解决穿通问题,并提高影像传感元件的灵敏度。
申请公布号 CN101399276A 申请公布日期 2009.04.01
申请号 CN200810005307.5 申请日期 2008.01.30
申请人 台湾积体电路制造股份有限公司 发明人 许慈轩;杨敦年;王俊智
分类号 H01L27/146(2006.01)I 主分类号 H01L27/146(2006.01)I
代理机构 隆天国际知识产权代理有限公司 代理人 陈 晨
主权项 1. 一种背照式传感器,包括:半导体基材,具有前表面与后表面;及多个影像传感元件,位于该半导体基材的前表面,其中至少一个影像传感元件包含传输晶体管和光传感器,其中该传输晶体管的栅极包含反射层,其中该传输晶体管位于该光传感器的上方。
地址 中国台湾新竹市