发明名称 形成复数电容器之方法
摘要 本发明提供一种形成复数个电容器之方法,该等电容器包括一容纳于一电容器阵列区域及一电路区域上方之绝缘材料。该阵列区域包含该绝缘材料内之容纳于个别电容器储存节点位置上方的复数个电容器电极开口。该介入区域包含一沟槽。导电材料形成于该等开口内且与该沟槽之一侧壁部分相抵,以不完全填充该沟槽。覆盖材料形成于该沟槽内之该导电材料之一升高的外部侧向界面及该电路区域之该绝缘材料上方。藉由一液体蚀刻溶液蚀刻该阵列区域内之该绝缘材料,以有效地暴露该阵列区域内之该导电材料的外部侧壁部分,且暴露该沟槽内之该导电材料。将该阵列区域内之该导电材料并入复数个电容器中。
申请公布号 TW200915490 申请公布日期 2009.04.01
申请号 TW097129916 申请日期 2008.08.06
申请人 美光科技公司 发明人 微许瓦那斯 巴特;凯文R 席亚;法洛 古德
分类号 H01L21/8242(2006.01) 主分类号 H01L21/8242(2006.01)
代理机构 代理人 陈长文
主权项
地址 美国