可靠之常关型ＩＩＩ族－氮化物主动装置结构，以及相关方法与系统

摘要

本发明提供了可靠的常关型III族－氮化物主动装置结构及相关方法和系统。一种场效电晶体，包括：第一闸极；第二闸极（以叠接组态保持在基本上固定电位）；以及半导体沟道。该半导体沟道包含增强模式部分和耗尽模式部分。该增强模式部分由该第一闸极闸控而开通和关断，且调适成以增强模式操作。该耗尽模式部分由该第二闸极闸控，并且调适成以耗尽模式操作且可遮挡该第一闸极免受电压应力影响。