半导体可饱和吸收体及其制作方法

摘要

本发明系关于一种半导体可饱和吸收体，其包含一砷化铝镓铟（AlGaInAs）晶体形成于一基板上，且该砷化铝镓铟晶体具有一量子井/井障（QW/barrier）结构，其中该量子井/井障结构的能隙差（ΔEc）大于或等于50 meV。