| 发明名称 | 肖特基势垒二极管结构 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种肖特基势垒二极管结构，以金属和N阱形成的肖特基结为正极，肖特基结通过接触孔与金属正极板相连；以N型半导体为负极，在肖特基结上设置多个彼此分离的P+区域，任意两个P+区域之间的间距满足如下条件：在反向偏压时，P+/N阱结耗尽区彼此相连。本发明与传统结构相比，正向压降低，反向击穿电压和泄漏电流都由PN结二极管决定，软击穿特性和高的反向泄漏电流都有很好的改善。 | ||
| 申请公布号 | CN100474632C | 申请公布日期 | 2009.04.01 |
| 申请号 | CN200610030635.1 | 申请日期 | 2006.08.31 |
| 申请人 | 上海华虹NEC电子有限公司 | 发明人 | 武洁;李平梁;徐向明 |
| 分类号 | H01L29/872(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/872(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人 | 顾继光 |
| 主权项 | 1、一种肖特基势垒二极管结构，以金属和N阱形成的肖特基结为正极，肖特基结通过接触孔与金属极板相连；以N型半导体为负极，其特征是，在肖特基结上设置多个彼此分离的P+区域，任意两个P+区域之间的间距满足如下条件：在反向偏压时，P+/N阱结耗尽区彼此相连，所述P+区域边缘形状与所述肖特基结边缘形状为儿何意义上的相似形。 | ||
| 地址 | 201206上海市浦东新区川桥路1188号 | ||