发明名称 钨材料的原子层沈积法
摘要 本发明的实施例提供一种用于沉积含钨材料的改进处理。该处理应用浸泡处理和气相沉积处理,例如原子层沉积(ALD)以提供具有显着改善表面均匀性以及产量的含钨材料。在一个实施例中,提供一种用于在基材上形成含钨材料的方法,该方法包括在处理室内放置基材,其中该基材包含配置于其上的下覆层,在原子层沉积处理期间将基材依序暴露于钨前驱物和还原气体以在下覆层上沉积钨成核层,其中还原气体包括约40:1、100:1、500:1、800:1、1000:1或更高的氢气/氢化物流速比,以及在钨成核层上沉积钨块层。还原气体包括氢化物,诸如二硼烷、矽烷或二矽烷。
申请公布号 TW200914630 申请公布日期 2009.04.01
申请号 TW097117852 申请日期 2008.05.15
申请人 应用材料股份有限公司 发明人 坎多尔沃夫亚弥特;摩西马德夫;杰拉多斯巴艾夫杰尼诺斯V;吴凯
分类号 C23C14/00(2006.01);C23C16/00(2006.01) 主分类号 C23C14/00(2006.01)
代理机构 代理人 蔡坤财;李世章
主权项
地址 美国