磁性记忆装置之制造方法及磁性记忆装置

摘要

本发明之课题是提供可以减小TMR元件之写入电流之变动，提高可靠度和小型化之磁性记忆装置。本发明之解决手段是包含有TMR元件之磁性记忆装置之制造方法，所具备之步骤包含有：形成下层布线层之步骤；在下层布线层上形成层间绝缘层之步骤；在层间绝缘层形成开口部之步骤，用来使下层布线层露出；以覆盖层间绝缘层和开口部内面之方式，形成障壁金属层之步骤；以埋入开口部之方式，在障壁金属层上形成金属层之步骤；研磨步骤，使用障壁金属层作为阻挡层，研磨除去障壁金属层上之金属层，形成包含埋入到开口部之金属层和障壁金属层之布线层；和元件制作步骤，在布线层上制作TMR元件。