发明名称 发光装置
摘要 提供以大量生产的方式制造包括具有优异电特性之可靠性高的薄膜电晶体的发光装置的方法。在具有反交错型薄膜电晶体的发光装置中,反交错型薄膜电晶体系形成如下:在闸极电极上形成闸极绝缘膜,在闸极绝缘膜上形成用作通道形成区域的微晶半导体膜,在微晶半导体膜上形成缓冲层,在缓冲层上形成一对源极区域及汲极区域,并且以使源极区域及汲极区域的一部分露出的方式而形成与源极区域及汲极区域接触的一对源极电极及汲极电极。
申请公布号 TW200915578 申请公布日期 2009.04.01
申请号 TW097124726 申请日期 2008.07.01
申请人 半导体能源研究所股份有限公司 发明人 山崎舜平;铃木幸惠;桑原秀明
分类号 H01L29/786(2006.01) 主分类号 H01L29/786(2006.01)
代理机构 代理人 林志刚
主权项
地址 日本