半导体工艺的成膜装置以及方法

摘要

本发明提供一种半导体处理用的成膜装置，包括向处理容器内供给用于在被处理基板上堆积薄膜的原料气体的原料气体供给系统、以及向处理容器内供给用于向薄膜中导入杂质的掺杂气体和用于稀释掺杂气体的混合气体的混合气体供给系统。混合气体供给系统包括：用于混合掺杂气体和稀释气体以形成混合气体并设置在处理容器外的气体混合箱体，从气体混合箱体向处理容器内供给混合气体的供给线，向气体混合箱体供给掺杂气体的掺杂气体供给系统，以及向气体混合箱体供给稀释气体的稀释气体供给系统。

主权项

1. 一种半导体处理用的成膜装置，其特征在于：包括：收纳隔开间隔而积累的多个被处理基板的处理容器；在所述处理容器内支持所述被处理基板的支持部材；加热所述处理容器内的所述被处理基板的加热器；对所述处理容器内进行排气的排气系统；原料气体供给系统，向所述处理容器内供给用于在所述被处理基板上堆积薄膜的原料气体；混合气体供给系统，向所述处理容器内供给用于向所述薄膜中导入杂质的掺杂气体和用于稀释所述掺杂气体的稀释气体的混合气体：以及控制包含所述混合气体供给系统的所述装置的动作的控制部，其中，所述混合气体供给系统包括：气体混合箱体，用于混合所述掺杂气体和所述稀释气体以形成所述混合气体，被设置在所述处理容器外；从所述气体混合箱体向所述处理容器内供给所述混合气体的混合气体供给线；向所述气体混合箱体内供给所述掺杂气体的掺杂气体供给系统；向所述气体混合箱体内供给所述稀释气体的稀释气体供给系统；设置在所述混合气体供给线上的第一开闭阀；以及测定所述气体混合箱体内的压力的压力计，所述原料气体供给系统具有向所述处理容器内供给所述原料气体的原料气体供给线、以及设置在所述原料气体供给线上的第二开闭阀，所述控制部，在关闭第一开闭阀的状态下，向所述气体混合箱体内连续地供给来自所述掺杂气体供给系统以及所述稀释气体供给系统的所述掺杂气体和所述稀释气体，同时，打开所述第一开闭阀向所述处理容器内供给所述混合气体，并且，基于所述压力计的测定值以脉冲状来开闭所述第一开闭阀，所述控制部在以脉冲状来开闭所述第一开闭阀的同时，以脉冲状开闭所述第二开闭阀。