发明名称 有机半导体元件
摘要 本发明涉及一种有机半导体元件。通过将新概念引入常规有机半导体元件的结构,而不使用常规超薄薄膜,提供更可靠和具有更高成品率的有机半导体元件。而且,尤其提高使用有机半导体的光电子器件的效率。在阳极和阴极之间设置有机结构,该有机结构包括交替层叠的通过使SCLC流动实现各种功能的有机薄膜层(功能有机薄膜层),和通过用受主和施主掺杂导电薄膜层,或通过类似的方法充满暗电导率的导电薄膜层(欧姆导电薄膜层)。
申请公布号 CN101399320A 申请公布日期 2009.04.01
申请号 CN200810210020.6 申请日期 2002.12.05
申请人 株式会社半导体能源研究所 发明人 筒井哲夫;山崎宽子;濑尾哲史
分类号 H01L51/50(2006.01)I;H01L51/42(2006.01)I 主分类号 H01L51/50(2006.01)I
代理机构 中国专利代理(香港)有限公司 代理人 张雪梅;王小衡
主权项 1. 一种电子器件,包括:阴极;阳极;介于所述阴极和所述阳极之间的包括第一发光层的第一功能薄膜层;介于所述阴极和所述阳极之间的包括第二发光层的第二功能薄膜层;介于第一功能薄膜层和第二功能薄膜层之间的包括有机化合物的导电薄膜层;其中导电薄膜层与第一功能薄膜层和第二功能薄膜层接触,其中导电薄膜层包括受主,以及其中来自第一发光层和第二发光层的光的颜色彼此不同。
地址 日本神奈川县厚木市