| 发明名称 | 半导体刻蚀设备的上部电极 | ||
| 摘要 | 本实用新型公开了一种半导体刻蚀设备的上部电极，内部具有多个通气孔，通气孔均匀分布在以上部电极中心为圆心的多个圆周上，在上部电极的一个直径上，通气孔随着与上部电极中心距离的增大，其孔径增大和或与相邻通气孔间距减小。本实用新型通过改变通气孔的结构和位置，使工艺气体进入工艺腔更加均匀，形成等密度均匀的等离子体，达到改善刻蚀均一性，使上部电极消耗量均匀，延长使用寿命的目的。 | ||
| 申请公布号 | CN201215800Y | 申请公布日期 | 2009.04.01 |
| 申请号 | CN200820060507.6 | 申请日期 | 2008.04.15 |
| 申请人 | 上海华虹NEC电子有限公司 | 发明人 | 刘东升 |
| 分类号 | H01L21/3065(2006.01)I;H01L21/00(2006.01)I;C23F4/00(2006.01)I;H01J37/32(2006.01)I;H05H1/24(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/3065(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人 | 刘昌荣 |
| 主权项 | 1、一种半导体刻蚀设备的上部电极，内部具有多个通气孔，所述的通气孔均匀分布在以所述上部电极中心为圆心的多个圆周上，其特征在于，在所述上部电极的一个直径上，所述通气孔随着与所述上部电极中心距离的增大，其半径增大或与相邻通气孔间距减小。 | ||
| 地址 | 200000上海市浦东新区金桥出口加工区川桥路1188号 | ||