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发明名称
用于量测基板上之蚀刻残留物的厚度之方法及设备
摘要
一种判定在一基板上之一残留层的一厚度之方法,该方法包括:(1)在一蚀刻处理之后,于基板上执行一第一组光学散射量测;(2)在一后蚀刻清洁处理之后,于基板上执行一第二组光学散射量测;(3)计算第一组光学散射量测值与第二组散射量测值的一差异量测值;(4)应用一第一色散模型并基于该差异量测值而判定残留层之一初始厚度量测值;以及(5)应用一第二色散模型并基于残留层之一材料组成而调整该初始厚度量测值。本发明亦提供数种其他实施态样。
申请公布号
TW200915415
申请公布日期
2009.04.01
申请号
TW097128028
申请日期
2008.07.23
申请人
应用材料股份有限公司
发明人
杨秀茹
分类号
H01L21/306(2006.01);G01B11/06(2006.01);G01B11/24(2006.01)
主分类号
H01L21/306(2006.01)
代理机构
代理人
蔡坤财;李世章
主权项
地址
美国
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