清洁半导体晶圆之方法

摘要

本发明系关于一种用于清洁半导体晶圆之方法，其包括在一待清洁的半导体晶圆表面上形成一第一液体薄膜，该第一液体薄膜包含氟化氢和臭氧；用一包含氟化氢和臭氧之第二含水液体薄膜替换该第一液体薄膜，氟化氢在该第二液体薄膜中的浓度系低于在该第一液体薄膜中的浓度；以及去除该第二液体薄膜。