半导体装置

摘要

CMOS反相器NT1、PT1被包含在标准单元51a。电源线电气连接到CMOS反相器NT1、PT1，并且具有下层布线32a、32b和上层布线34c、34d。下层布线32a、32b沿着互相邻接之标准单元51a之境界而在境界上延伸。上层布线34c、34d在俯视图中比下层布线32a、32b位于标准单元51a之内侧。CMOS反相器NT1、PT1经由上层布线34c、34d电气连接到下层布线32a、32b。利用此种方式，获得可以同时达成高速化和高积体化双方之半导体装置。