| 摘要 |
本发明提供一种薄膜半导体装置之制造方法，即便基板温度较低亦可维持成膜速度而于基板上形成膜厚方向之结晶化率稳定之结晶性之矽薄膜，藉此使基板上之结晶性之矽薄膜之直接成膜在产业上得以实用化，并且藉由使用该矽薄膜而实现高性能化。藉由将由Si#sB!n#eB!H#sB!2n+2#eB!(n=2、3、...)所表示之高矽矽烷系气体与氢气体用于成膜气体之电浆CVD法，而进行于基板上形成包含结晶构造之矽薄膜的成膜步骤S2。又，作为前步骤，上述核生成步骤中，藉由将由Si#sB!n#eB!H#sB!2n+2#eB!(n=2、3、...)所表示之高矽矽烷系气体与卤化锗气体用于成膜气体之反应性热CVD法或电浆CVD法，而进行用以于基板上生成结晶核的核生成步骤S1。 |
