| 摘要 |
本发明系一种半导体发光元件及其制造方法，其中，可将电子和正孔，针对在活性层，为了效率佳地进行再结合之活性层的多重量子井层（MQW）之对数，做为最佳化，可提升发光效率。具备n型半导体层2，和p型半导体层4，和配置于n型半导体层2与p型半导体层4之间，含有由GaN而成之障壁层311~31n，310与由In#sB!x#eB!Ga#sB!1-x#eB!N(0＜x＜1)而成之井层321~32n的多重量子井层构造之In的活性层，NQW层之对数系为6~11，并可控制从n型半导体层2对于p型半导体层4之电子的溢出，及从p型半导体层4对于井层321~32n之p型掺杂剂的扩散，从n型半导体层2对于活性层3之n型掺杂剂的扩散之半导体发光元件及其制造方法。 |
