| 发明名称 | 侧面发光半导体元件和侧面发光半导体元件的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明的侧面发光半导体元件，包括：掺杂的Mg的浓度为5×10<sup>19</sup>cm<sup>-3</sup>以下的AlGaN层，在包含AlGaN层和活性层的层叠结构的上部形成的条纹状的脊部，和在露出AlGaN层的脊部以外的层叠结构的上表面形成的肖特基势垒。 | ||
| 申请公布号 | CN101401223A | 申请公布日期 | 2009.04.01 |
| 申请号 | CN200780009073.5 | 申请日期 | 2007.03.15 |
| 申请人 | 罗姆股份有限公司 | 发明人 | 中原健 |
| 分类号 | H01L33/00(2006.01)I;H01S5/042(2006.01)I | 主分类号 | H01L33/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京尚诚知识产权代理有限公司 | 代理人 | 龙 淳 |
| 主权项 | 1. 一种侧面发光半导体元件，其特征在于，具备：掺杂的Mg的浓度为5×1019cm-3以下的AlGaN层；在包括所述AlGaN层和活性层的层叠结构的上部形成的条纹状的脊部；和在露出所述AlGaN层的所述脊部以外的所述层叠结构的上表而形成的肖特基势垒。 | ||
| 地址 | 日本京都 | ||