| 发明名称 | 解决金属硅化物沉淀沿STI边缘小角向下延伸的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种解决金属硅化物沉淀沿STI边缘小角向下延伸的方法，在现有工艺进行金属硅化物沉淀前先沉淀一层二氧化硅膜，然后进行一次光刻，保护住STI部分并且向两侧延伸，再通过刻蚀去除未保护部分二氧化硅膜。本发明方法可以解决由于STI边缘的凹陷小角的存在，导致的难溶金属硅化物生长沉淀的过程中沿着凹陷小角向下延伸的问题。 | ||
| 申请公布号 | CN100474555C | 申请公布日期 | 2009.04.01 |
| 申请号 | CN200510111552.0 | 申请日期 | 2005.12.15 |
| 申请人 | 上海华虹NEC电子有限公司 | 发明人 | 陈晓波;陈华伦;胡君 |
| 分类号 | H01L21/76(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/76(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人 | 丁纪铁 |
| 主权项 | 1、一种解决金属硅化物沉淀沿STI边缘小角向下延伸的方法，在STI形成以后，其特征在于，在金属硅化物沉淀前先沉淀一层二氧化硅膜，所述二氧化硅膜覆盖住STI部分和器件部分，然后进行一次光刻，保护住位于STI部分的二氧化硅膜和位于STI两侧区域的二氧化硅膜，再通过刻蚀去除未保护部分二氧化硅膜。 | ||
| 地址 | 201206上海市浦东新区川桥路1188号 | ||