应用超临界流体制作非挥发性记忆体的制程

摘要

本发明提供应用超临界流体制作非挥发性记忆体的制程，主要是利用超临界流体将具有高键结能力的修饰剂带入致密无孔隙的薄膜中，将薄膜完全氧化、转换为具有高密度载子储存中心的非传导性的载子捕捉层，并同时钝化穿隧氧化层与闸极控制层的缺陷、提高穿隧氧化层与闸极控制层的介电特性、降低漏电流，以配合薄膜电晶体的低温制程（不大于150℃）制作出具有高效能的非挥发性记忆体。