半导体装置的制造方法

摘要

在本发明中，提供一种用于制造半导体装置的方法。该半导体装置，于一半导体基板上具有第一及第二电晶体群，其分别具有不同的操作电压。该第一电晶体群具有一第一闸极电极；该第二电晶体群具有一第二闸极电极。该方法包含下列步骤：在将该第一闸极电极的一高度设定为小于形成在一虚拟闸极部中之一虚拟闸极电极的高度之后，形成该矽化物层于该第一电晶体群的第一闸极电极之上；以及，在形成一覆盖一矽化物层的层间绝缘膜且平面化该层间绝缘膜的一表面之后，藉由去除该虚拟闸极部而形成一闸极形成沟槽。