| 发明名称 | 制造二氧化硅层的方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及制造低粗糙度的二氧化硅层(2)的方法，该方法包括下述步骤：-通过低压化学气相沉积(LPCVD)方法，在基底(1)上沉积二氧化硅层(2)，该沉积方法同时使用原硅酸四乙酯(TEOS)流体作为膜沉积用源材料和对TEOS不具有反应性的稀释剂气体流体，以便稀释剂气体/TEOS之比介于0.5至100；-在介于600℃至1200℃的温度下使所述二氧化硅层退火10分钟至6小时的持续时间。 | ||
| 申请公布号 | CN100474529C | 申请公布日期 | 2009.04.01 |
| 申请号 | CN200480044013.3 | 申请日期 | 2004.09.16 |
| 申请人 | S.O.I.泰克绝缘体硅技术公司 | 发明人 | K·布德尔;N·达瓦尔;I·凯尔富尔克;S·R·A·范阿尔德;M·J·德布兰克;C·A·范德尤德 |
| 分类号 | H01L21/316(2006.01)I;H01L21/762(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/316(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 任宗华 |
| 主权项 | 1. 制造低粗糙度的二氧化硅层(2)的方法，所述粗糙度低于0.55nm，该方法包括下述步骤：- 通过低压化学气相沉积(LPCVD)方法，在基底(1)上沉积二氧化硅层(2)，该沉积方法同时使用原硅酸四乙酯(TEOS)流体作为膜沉积用源材料和对TEOS不具有反应性的稀释剂气体流体，以便稀释剂气体/TEOS之比介于0.5至100；- 在介于700℃至900℃的温度下使所述二氧化硅层退火1至4小时的持续时间。 | ||
| 地址 | 法国贝尔尼恩 | ||