高密度的相随机存取存储器

摘要

一种包括多个存取晶体管和由多个存取晶体管共享的可变相薄膜的相随机存取存储器，每个存取晶体管包括漏极区。可变相薄膜通过第一电极连接到位线，并且通过多个第二电极中的至少一个连接到每个对应的漏极区。

主权项

1. 一种具有以多个组成面积排列的存储器单元阵列的相随机存取存储器，每个所述组成面积包括：以第一方向延伸的第一导线；以第二方向延伸的多个第二导线；电连接到所述第一导线的可变相薄膜；电连接到所述可变相薄膜并被定义在第一有效区内的第一半导体区；和被定义在第二有效区内并与所述第一半导体区分离的第二半导体区，其中每个所述组成面积还包括位线触点，所述可变相薄膜通过所述位线触点电连接到所述第一导线，所述位线触点被对于多个存取晶体管中的每一个的漏极区所共享。