形成包含一二极体与一电阻率切换生长氧化物的可覆写记忆单元的方法

摘要

本发明描述一种形成一可覆写记忆单元之方法，该可覆写记忆单元包括一二极体及一氧化物层，其中可以可逆地切换该氧化物层之电阻率。在较佳实施例中，该氧化物层为一生长氧化物。该二极体较佳由已与一矽化物接触而结晶之多晶矽形成，该矽化物具有一与矽之接近的晶格匹配。该矽化物提供一结晶模板以使得该多晶矽为具有很少缺陷之大晶粒，且因此具相对低之电阻率。在较佳实施例中，可形成一整体三维记忆体阵列，其中该等可覆写记忆单元之多个记忆体层级垂直堆叠地整体形成于一基板上方。