发明名称 非晶形氧化物与场效电晶体
摘要 在一种场效电晶体中,该场效电晶体的通道层系由非晶形氧化物组成,该非晶形氧化物包括In、Zn、N及O,该非晶形氧化物中之N对N和O的原子组成比例(N/(N+O))系等于或大于0.01原子百分比且等于或小于3原子百分比,且该非晶形氧化物不包括Ga,或,在该非晶形氧化物包括Ga的情形中,该非晶形氧化物所含的Ga原子数目系小于N原子数目。
申请公布号 TW200915576 申请公布日期 2009.04.01
申请号 TW097119728 申请日期 2008.05.28
申请人 佳能股份有限公司 发明人 板垣奈穗;岩崎达哉
分类号 H01L29/786(2006.01) 主分类号 H01L29/786(2006.01)
代理机构 代理人 林志刚
主权项
地址 日本