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发明名称
非晶形氧化物与场效电晶体
摘要
在一种场效电晶体中,该场效电晶体的通道层系由非晶形氧化物组成,该非晶形氧化物包括In、Zn、N及O,该非晶形氧化物中之N对N和O的原子组成比例(N/(N+O))系等于或大于0.01原子百分比且等于或小于3原子百分比,且该非晶形氧化物不包括Ga,或,在该非晶形氧化物包括Ga的情形中,该非晶形氧化物所含的Ga原子数目系小于N原子数目。
申请公布号
TW200915576
申请公布日期
2009.04.01
申请号
TW097119728
申请日期
2008.05.28
申请人
佳能股份有限公司
发明人
板垣奈穗;岩崎达哉
分类号
H01L29/786(2006.01)
主分类号
H01L29/786(2006.01)
代理机构
代理人
林志刚
主权项
地址
日本
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