半导体器件及其制造方法

摘要

本发明提供半导体器件及其制造方法。半导体器件制造方法包括：在半导体衬底上形成氮化物层图案；通过使用所述氮化物层图案作为掩模蚀刻所述半导体衬底来形成沟槽；在所述半导体衬底的整个表面上形成绝缘层；通过抛光所述绝缘层以暴露所述氮化物层图案来形成器件隔离图案；移除所述氮化物层图案并且因此在所述半导体衬底的整个表面上形成第一多晶硅层；蚀刻所述第一多晶硅层以暴露所述器件隔离图案并且因此在所述器件隔离图案之间形成浮置栅极；形成覆盖所述浮置栅极的绝缘层并且在所述绝缘层上形成第二多晶硅层；和图案化所述第二多晶硅层和所述绝缘层并且因此形成控制栅电极和绝缘层图案。

主权项

1. 一种制造半导体器件的方法，包括：在半导体衬底上形成氮化物层图案；通过使用所述氮化物层图案作为掩模蚀刻所述半导体衬底形成沟槽；在所述半导体衬底的整个表面上形成绝缘层；通过抛光所述绝缘层以暴露所述氮化物层图案形成器件隔离图案；移除所述氮化物层图案，由此在所述半导体衬底的整个表面上形成第一多晶硅层；蚀刻所述第一多晶硅层以暴露所述器件隔离图案，由此在所述器件隔离图案之间形成浮置栅电极；形成覆盖所述浮置栅电极的绝缘层并且在所述绝缘层上形成第二多晶硅层；和图案化所述第二多晶硅层和所述绝缘层，由此形成控制栅电极和绝缘层图案。