| 发明名称 | 同步半导体存储器件及其驱动方法 | ||
| 摘要 | 一种同步半导体存储器件包括：数据对准参考脉冲产生单元，配置成响应于数据选通信号(DQS)而产生数据对准参考脉冲；对准保持信号产生单元，配置成响应于数据对准参考脉冲和数据输入时钟而产生对准保持信号，该对准保持信号在对应于数据选通信号的后信号的周期期间启动；以及数据对准单元，配置成响应于数据对准参考脉冲和对准保持信号而对准输入数据。 | ||
| 申请公布号 | CN101399078A | 申请公布日期 | 2009.04.01 |
| 申请号 | CN200810211450.X | 申请日期 | 2008.09.22 |
| 申请人 | 海力士半导体有限公司 | 发明人 | 李康悦 |
| 分类号 | G11C7/22(2006.01)I;G11C11/409(2006.01)I | 主分类号 | G11C7/22(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 杨林森;康建峰 |
| 主权项 | 1. 一种同步半导体存储器件，包括：数据对准参考脉冲产生单元，配置成响应于数据选通信号(DQS)而产生数据对准参考脉冲；对准保持信号产生单元，配置成响应于所述数据对准参考脉冲和数据输入时钟而产生对准保持信号，该对准保持信号在对应于所述数据选通信号的后信号的周期期间启动；以及数据对准单元，配置成响应于所述数据对准参考脉冲和所述对准保持信号而对准输入数据。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道利川市 | ||