发明名称 |
液晶显示装置对像素进行预充电的驱动方法 |
摘要 |
本发明涉及一种液晶显示装置对像素进行预充电的驱动方法,通过将相邻两行薄膜晶体管的栅极同时打开,首先关闭下一行薄膜晶体管的栅极,而上一行薄膜晶体管的栅极在与其相隔一行后的薄膜晶体管的栅极打开时再关闭;使得上一行薄膜晶体管的打开时间为现有技术方案的两倍,从而使薄膜晶体管的充电时间加长,存储电容充电充分,彻底消除了横向微弱亮线现象。本发明简单易行,不需增加任何成本,有效改善了画面品质。 |
申请公布号 |
CN101399020A |
申请公布日期 |
2009.04.01 |
申请号 |
CN200710175484.3 |
申请日期 |
2007.09.29 |
申请人 |
北京京东方光电科技有限公司 |
发明人 |
窦芳 |
分类号 |
G09G3/36(2006.01)I;G09G3/20(2006.01)I;G02F1/1362(2006.01)I |
主分类号 |
G09G3/36(2006.01)I |
代理机构 |
北京同立钧成知识产权代理有限公司 |
代理人 |
刘 芳 |
主权项 |
1. 一种液晶显示装置对像素进行预充电的驱动方法,其特征在于:包括以下步骤:步骤1、栅启动信号发出高电平,第一行TFT进行充电;步骤2、在栅移动信号的下降沿时刻,令M=2,N=3;步骤3、同时打开第M行TFT和第N行TFT;步骤4、在数据输出控制信号的下降沿时刻,源驱动器输出第N行TFT的数据并加载到第M行TFT和第N行TFT的存储电容上,使第M行TFT和第N行TFT同时开始充电;步骤5、在所述栅移动信号的下一个上升沿时刻,关闭第N行TFT,所述源驱动器输出第M行TFT的数据并加载到第M行TFT的存储电容上,使第M行TFT继续充电;步骤6、在所述栅移动信号的下一个下降沿时刻,关闭第M行TFT;步骤7、令M=M+2,N=N+2;步骤8、判断M=n,是则执行步骤9,否则执行步骤3,其中n为面板纵向有效像素数;步骤9、第n行TFT进行充电。 |
地址 |
100176北京市经济技术开发区西环中路8号 |