| 发明名称 | 非挥发存储器的制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明是关于一种非挥发存储器的制备方法，其包括以下步骤：在半导体衬底上形成一层栅氧化层；采用电子束蒸发方式将硅粉末和二氧化铪粉末的混合物蒸发至该栅氧化层上，再经高温热退火在形成纳米晶浮栅层；在纳米晶浮栅层上形成栅电极；以及进行源、漏区掺杂，并进行源、漏电极的形成工序。本发明提供的三端增强型MOS纳米晶浮栅型非挥发存储器的制备方法工艺过程简单，制备成本低，有利于大规模集成。 | ||
| 申请公布号 | CN101399208A | 申请公布日期 | 2009.04.01 |
| 申请号 | CN200810223341.X | 申请日期 | 2008.09.26 |
| 申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 朱晨昕;贾锐;陈晨;李维龙;李昊峰;王琴;刘明 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L21/8247(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市德权律师事务所 | 代理人 | 王建国 |
| 主权项 | 1、一种非挥发存储器的制备方法，其特征在于，该方法包括：A、在半导体衬底上形成一层栅氧化层；B、采用电子束蒸发方式将硅粉末和二氧化铪粉末的混合物蒸发至该栅氧化层上，再经高温热退火在形成纳米晶浮栅层；C、在纳米晶浮栅层上形成栅电极；以及D、进行源、漏区掺杂，并进行源、漏电极的形成工序。 | ||
| 地址 | 100029北京市朝阳区北土城西路3号中科院微电子所 | ||