发明名称 具覆晶结构的发光二极管装置
摘要 本发明公开了一种具覆晶结构的发光二极管装置,包含一第一基材,该基材为非导电性材质;两导电支架,该些导电支架为两不同极性的导电支架;一覆晶芯片,该覆晶芯片包含两电极,包含一第一电极以及一第二电极;两导电引脚,该些导电引脚分别位于该些电极与该些导电支架之间,并电气地连接相对应的电极与导电支架,用以增加相对应的电极与导电支架间的接触面积;以及一封装体,该封装体将该覆晶芯片包覆密封。覆晶芯片包含一内金属层,此内金属层的布局可提升覆晶芯片的发光效率。导电引脚位于覆晶芯片与导电支架之间,并提供覆晶芯片更大的热传导面积。
申请公布号 CN101400197A 申请公布日期 2009.04.01
申请号 CN200710161547.X 申请日期 2007.09.29
申请人 亿光电子工业股份有限公司 发明人 吴易座
分类号 H05B33/04(2006.01)I;F21V23/06(2006.01)I;H01L33/00(2006.01)I;F21Y101/02(2006.01)N 主分类号 H05B33/04(2006.01)I
代理机构 北京律诚同业知识产权代理有限公司 代理人 梁 挥;祁建国
主权项 1. 一种具覆晶结构的发光二极管装置,其特征在于,至少包含:一第一基材,该基材为非导电性材质;两导电支架,该些导电支架为两不同极性的导电支架;一覆晶芯片,该覆晶芯片包含两电极,包含一第一电极以及一第二电极;两导电引脚,该些导电引脚分别位于该些电极与该些导电支架之间,并电气地连接相对应的电极与导电支架,用以增加相对应的电极与导电支架间的接触面积;以及一封装体,该封装体将该覆晶芯片包覆密封。
地址 台湾省台北县土城市中央路三段76巷25号