| 发明名称 | 掺氟氧化硅玻璃层间绝缘膜的集成方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种掺氟氧化硅玻璃层间绝缘膜的集成方法包括以下步骤：淀积掺氟氧化硅层间绝缘膜；淀积应力范围处于-250MPa到-600MPa的等离子正四乙氧基硅烷膜；化学机械抛光平坦化，并停留在高应力等离子正四乙氧基硅烷膜中；开孔形成钨连接线；对钨层进行化学机械抛光；淀积上层金属连线层。本发明通过高应力的等离子正四乙氧基硅烷膜可以保证充分束缚掺氟氧化硅玻璃中的氟自由基，从而使上层金属连线层免受侵蚀，满足器件的电学要求。 | ||
| 申请公布号 | CN100474561C | 申请公布日期 | 2009.04.01 |
| 申请号 | CN200610029070.5 | 申请日期 | 2006.07.18 |
| 申请人 | 上海华虹NEC电子有限公司 | 发明人 | 李菲 |
| 分类号 | H01L21/768(2006.01)I;H01L21/31(2006.01)I;H01L23/532(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/768(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人 | 顾继光 |
| 主权项 | 1、一种掺氟氧化硅玻璃层间绝缘膜的集成方法，包括以下步骤：步骤一，淀积掺氟氧化硅层间绝缘膜；步骤二，淀积等离子正四乙氧基硅烷膜，该等离子正四乙氧基硅烷膜应力范围处于-250MPa到-600MPa之间；步骤三，化学机械抛光平坦化停留在高应力等离子正四乙氧基硅烷膜中；步骤四，开孔形成钨连接线；步骤五，对钨层进行化学机械抛光；步骤六，淀积上层金属连线层。 | ||
| 地址 | 201206上海市浦东新区川桥路1188号 | ||