CMOS图像传感器及其形成方法

摘要

一种CMOS图像传感器，包括：具有第一导电类型的半导体衬底，所述半导体衬底分为光电二极管区域和外围电路区域；位于光电二极管区域半导体衬底中具有第二导电类型的深掺杂阱，所述第二导电类型与第一导电类型相反；位于光电二极管区域半导体衬底中深掺杂阱上的具有第一导电类型的浅掺杂阱；位于外围电路区域的MOS晶体管的多晶硅栅及位于多晶硅栅两侧的侧墙；位于外围电路区域的MOS晶体管的多晶硅栅两侧的半导体衬底中的低掺杂源/漏扩散区和源/漏极；所述光电二极管区域的半导体衬底表面有第一绝缘层，覆盖深掺杂阱和浅掺杂阱。本发明还提供一种CMOS图像传感器的形成方法。在光电二极管区域表面有第一绝缘层进行保护，减小了暗电流。

主权项

1. 一种CMOS图像传感器的形成方法，其特征在于，包括：提供具有第一导电类型的半导体衬底，所述半导体衬底分为光电二极管区域和外围电路区域；在光电二极管区域的半导体衬底表面形成第一绝缘层；在光电二极管区域第一绝缘层之下的半导体衬底中形成具有第二导电类型的深掺杂阱，所述第二导电类型与第一导电类型相反；在外围电路区域形成MOS晶体管的多晶硅栅；在光电二极管区域的第一绝缘层、外围电路区域的半导体衬底表面和多晶硅栅上形成第二绝缘层；蚀刻第二绝缘层，在外围电路区域形成MOS晶体管的多晶硅栅的侧墙；在外围电路区域形成MOS晶体管的低掺杂源/漏扩散区和源/漏极，在光电二极管区域第一绝缘层之下的半导体衬底中形成具有第一导电类型的浅掺杂阱。