发明名称 |
包括利用不同相位波峰之脉冲在多重写入周期上写入资料之写入电路之非挥发性记忆体装置 |
摘要 |
非挥发性记忆体装置包括复数个非挥发性记忆体单元及一写入电路,该写入电路可操作以藉由产生至该等非挥发性记忆体单元的相位波峰彼此不同的复数个写入脉冲来在复数个连续之划分写入周期内将资料写入至该等非挥发性记忆体单元。 |
申请公布号 |
TW200915326 |
申请公布日期 |
2009.04.01 |
申请号 |
TW097128877 |
申请日期 |
2008.07.30 |
申请人 |
三星电子股份有限公司 |
发明人 |
金荣兰;林基元;崔炳吉;金起圣 |
分类号 |
G11C16/10(2006.01);G11C13/02(2006.01) |
主分类号 |
G11C16/10(2006.01) |
代理机构 |
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代理人 |
陈长文;林嘉兴 |
主权项 |
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地址 |
南韩 |