| 摘要 |
本发明提供一种在一标准CMOS处理流程中用于形成对于奈米管装置之金属接触之方法。根据本发明一特征，提供一种方法，该方法系用于在一标准CMOS处理流程中形成对于作为FET之奈米管装置之源极/汲极接触，同时最小化对互补金属氧化物半导体(CMOS)电路之金属污染。该方法包含在一CMOS处理流程之一前端处理期间在一半导体基板上形成奈米管装置，同时在该CMOS处理流程之一后端处理期间形成该等奈米管装置之金属接触。此使得能够在一标准CMOS处理流程内形成待整合之奈米管装置，藉此公开商业化新世代RFCMOS技术之途径，其中基于奈米管装置之优异RF/类比电路可与基于标准矽CMOS之数位电路组合。 |
