| 发明名称 |
使用选择性生长可逆电阻切换元件之记忆体单元及其形成方法 |
| 摘要 |
在一些态样中，提供一种形成一记忆体单元之方法，其包括(1)在一基板上方形成一第一导体；(2)使用一选择性生长制程在该第一导体上方形成一可逆电阻切换元件；(3)在该第一导体上方形成一二极体；及(4)在该二极体及该可逆电阻切换元件上方形成一第二导体。提供众多其他态样。 |
| 申请公布号 |
TW200915543 |
申请公布日期 |
2009.04.01 |
| 申请号 |
TW097124406 |
申请日期 |
2008.06.27 |
| 申请人 |
桑迪士克３Ｄ公司 |
发明人 |
艾波 史瑞克;Ｓ 布莱德 贺纳;马克 克拉克 |
| 分类号 |
H01L27/115(2006.01);H01L21/8247(2006.01) |
主分类号 |
H01L27/115(2006.01) |
| 代理机构 |
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代理人 |
黄章典;楼颖智 |
| 主权项 |
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| 地址 |
美国 |
