| 发明名称 | 半导体存储器件及其驱动方法 | ||
| 摘要 | 提供了半导体存储器件及其驱动方法。半导体存储器件包括：第一锁存器，响应于模式寄存器设置(MRS)命令脉冲来锁存由多位构成的MRS代码；代码控制器，响应于来自所述第一锁存器的输出信号中的预设位的代码值来生成控制信号；第二锁存器，响应于所述控制信号而选择性地锁存来自所述第一锁存器的输出信号；以及模式解码器，对来自所述第二锁存器的输出信号进行解码，以输出工作模式。 | ||
| 申请公布号 | CN101399079A | 申请公布日期 | 2009.04.01 |
| 申请号 | CN200810167181.1 | 申请日期 | 2008.09.28 |
| 申请人 | 海力士半导体有限公司 | 发明人 | 尹锡彻 |
| 分类号 | G11C11/4078(2006.01)I | 主分类号 | G11C11/4078(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 杨林森;康建峰 |
| 主权项 | 1. 一种半导体存储器件，包括：第一锁存器，被配置成响应于模式寄存器设置MRS命令脉冲来锁存由多位构成的模式寄存器设置MRS代码；代码控制器，被配置成响应于来自所述第一锁存器的输出信号中的预设位的代码值来生成控制信号；第二锁存器，被配置成响应于所述控制信号而选择性地锁存来自所述第一锁存器的输出信号；以及模式解码器，被配置成对来自所述第二锁存器的输出信号进行解码，以输出工作模式。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道利川市 | ||