硅化的非易失存储器及其制造方法

摘要

一种形成在半导体衬底(12)上的存储器器件(10)。选择栅极(37)和控制栅极(33)彼此相邻地形成。选择栅极(37)或控制栅极(33)中的一个相对另一个被凹进。凹进允许可制造的工艺来在选择栅极和控制栅极上都形成硅化的表面。

主权项

1. 一种形成半导体器件的方法，所述方法包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上方形成第一栅电极，其中所述第一栅电极包含硅；在所述半导体衬底上方并且邻近所述第一栅电极形成第二栅电极，其中所述第二栅电极包含硅；使所述第一栅电极相对所述第二栅电极凹进；在所述第一栅电极的第一部分上方形成硅化物电阻特性；在所述第一栅电极的第二部分上方形成第一硅化物；以及在所述第二栅电极上方形成第二硅化物。