发明名称 |
在切割道上具有穿孔通路及在晶粒之作用区中具有穿孔通路的半导体晶粒 |
摘要 |
一种半导体晶圆系含有复数个晶粒,以及接触焊垫系被布置在每个晶粒之一第一表面上。金属通路系被形成在切割道导槽之沟渠中,并且系由有机材料所围绕。迹线系连接该等接触焊垫以及金属通路。该等金属通路能为半圆通路或是整圆通路。该等金属通路系亦透过该晶粒之作用区上的接触焊垫所形成。重新分配层系被形成在该晶粒相对该第一表面之一第二表面上。重新钝化层系被形成在该等重新分配层之间以用于电气隔离。该晶粒系为可堆叠,并且系能与其它晶粒被放置在一半导体封装中。穿过该等切割道之通路与穿过该晶粒的作用区以及该等重新分配层之通路系提供电气互连至相邻晶粒。 |
申请公布号 |
TW200915509 |
申请公布日期 |
2009.04.01 |
申请号 |
TW097130210 |
申请日期 |
2008.08.08 |
申请人 |
史达晶片有限公司 |
发明人 |
杜雍台;官怡荷;周佩仪 |
分类号 |
H01L23/485(2006.01);H01L23/535(2006.01);H01L25/04(2006.01) |
主分类号 |
H01L23/485(2006.01) |
代理机构 |
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代理人 |
桂齐恒;阎启泰 |
主权项 |
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地址 |
新加坡 |