半导体装置

摘要

本发明提供可抑制可靠性之降低之半导体装置。本半导体装置系包含：电极垫部(2)，其系形成于半导体基板(1)之上面上；钝化层(3)，其系包含使电极垫部(2)之上面露出之第1开口部(3a)，且以与电极垫部(2)之一部分重叠之方式形成于半导体基板(1)之上面上；障壁金属层(5)，其系形成于电极垫部(2)上；及焊料凸块(6)，其系形成于障壁金属层(5)上。而，障壁金属层(5)从平面上看时，系将外周端部(5b)形成位于钝化层(3)之第1开口部(3a)之内侧。