硼衍生之材料的沉积方法

摘要

本发明揭示一种形成含硼膜之方法。该方法包含：将一含硼前驱物导入一腔室内，以及藉由热分解制程或电浆制程沉积一包含硼-硼键结的网路于一基板上。该网路可以被后处理，以从该网路去除氢且增加最终含硼膜的应力。该含硼膜具有介于约-10 Gpa与约10 Gpa之间的应力，并且可以作为硼源层或诱导伸张层。