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发明名称
形成金属配线的方法
摘要
一种形成用于一半导体器件之一金属配线的方法,包括在一基板上形成一基于金属之层,该基板包括至少一导电结构;在该基于金属之层上形成一金属种子层;沿该基板之周边部分,在该金属种子层上形成一补充接触层,该金属种子层系在该基板与该补充接触层之间,且该补充接触层包括一补充金属,其具有一小于或等于该金属种子层之电阻的电阻;将该基板装载至一电镀装置中,使得该补充接触层与该电镀装置之阴极直接接触;及对该金属种子层执行一电镀过程,以在该基于金属之层上形成一金属配线层。
申请公布号
TW200915486
申请公布日期
2009.04.01
申请号
TW097129421
申请日期
2008.08.01
申请人
三星电子股份有限公司
发明人
金海基;许东澈;曹模炫;金德成
分类号
H01L21/768(2006.01)
主分类号
H01L21/768(2006.01)
代理机构
代理人
陈长文;林嘉兴
主权项
地址
南韩
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