| 发明名称 | 清除气体供应系统及气体清除方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种清除气体供应系统及气体清除方法，该清除气体供应系统适于连接至工艺气体供应系统。此清除气体供应系统包括气体供应源、缓冲槽、第一气体输送管线以及控制器。气体供应源用于提供清除气体。缓冲槽连接气体供应源，用以改变通过缓冲槽的清除气体的温度。第一气体输送管线连接气体供应源与缓冲槽。控制器连接缓冲槽，用以调控缓冲槽的温度。 | ||
| 申请公布号 | CN101398127A | 申请公布日期 | 2009.04.01 |
| 申请号 | CN200710161973.3 | 申请日期 | 2007.09.27 |
| 申请人 | 力晶半导体股份有限公司 | 发明人 | 何照铭;魏涌洲 |
| 分类号 | F17D1/04(2006.01)I;B08B9/032(2006.01)I | 主分类号 | F17D1/04(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 陶凤波 |
| 主权项 | 1. 一种清除气体供应系统，适于连接至工艺气体供应系统，包括：气体供应源，用以提供清除气体；缓冲槽，连接该气体供应源，用以改变通过该缓冲槽的该清除气体的温度；第一气体输送管线，连接该气体供应源与该缓冲槽；以及控制器，连接该缓冲槽，用以调控该缓冲槽的温度。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹科学工业园区 | ||