| 发明名称 | 金属互连的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种金属互连的制造方法。先在基底上形成具有开口的介电层，再利用原子层沉积法在介电层上形成阻障层。接着依序以化学及物理气相沉积法于基底上形成铝及铝铜合金等两层金属层，再利用热回流工艺使铝铜合金金属层填满开口。而后，一方面可利用光刻蚀刻工艺图案化金属层及阻障层，以同时形成插塞与导线。另一方面，也可直接以化学机械研磨法等方法直接移除开口外的金属层和阻障层，以形成插塞。此方法简化金属互连的工艺且适用于深宽比较高的开口的互连。 | ||
| 申请公布号 | CN101399220A | 申请公布日期 | 2009.04.01 |
| 申请号 | CN200710161970.X | 申请日期 | 2007.09.27 |
| 申请人 | 力晶半导体股份有限公司 | 发明人 | 高一辰 |
| 分类号 | H01L21/768(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/768(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 陶凤波 |
| 主权项 | 1. 一种金属互连的制造方法，包括：提供基底；在该基底上形成具有开口的介电层；利用原子层沉积法在该介电层上形成阻障层；以及在该基底上形成金属层，该金属层填满该开口。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹科学工业园区 | ||