一种改进的高压器件仿真模型的建模方法

摘要

本发明公开了一种改进的高压器件仿真模型的建模方法，在低压条件下的普通SPICE器件模型基础上，在晶体管的漏极上串联一个可随电压变化的可变电阻，以实现高压区域栅极电压对晶体管电流能力控制减弱效应；该电阻电阻值与加在该电阻上面的电压具有函数关系；在晶体管漏极与源极间跨接一个电流控制电流源，以仿真高压晶体管的离化效应。本发明可提高高压模型使用的便利性，提高集成电路设计工作效率与准确性，缩短产品设计周期、降低成本。

主权项

1、一种改进的高压器件仿真模型的建模方法，其特征在于，首先建立高压晶体管在低压条件下的普通SPICE器件模型，然后在所述晶体管的漏极上串联一个可随电压变化的可变电阻，以实现高压区域栅极电压对晶体管电流能力控制减弱效应；所述可变电阻的电阻值与加在该电阻上面的电压的关系为：R＝R0*(1+VC1*VR+VC2*VR*VR)*(1+VC3*Vbs+VC4*Vbs*Vbs)，其中R0是电压为零时的电阻值，VC1、VC2、VC3、VC4是其电压一级及二级系数，VR是加在电阻上面的电压绝对值，Vbs是衬底与源极间的电压绝对值；在所述晶体管漏极与源极间跨接一个电流控制电流源，以仿真高压晶体管的离化效应。