| 摘要 |
<p>Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Galvanisieren mindestens einer ersten Leiterstruktur (3) die sich auf der Oberseite (2) einer Mehrlagenleiterplatte (1) befindet. Es sind folgende Schritte vorgesehen:
- Einbringen eines Verbindungskanals (18), der von der ersten Leiterstruktur (3) zu einer darunterliegenden, zweiten Leiterstruktur (9) der Mehrlagenleiterplatte (1) führt,
- Galvanisieren des Verbindungskanals (18) zum elektrischen Verbinden der beiden Leiterstrukturen (3,9) durch Erzeugung einer Querverbindung (15),
- Anlegen eines elektrischen Potentials an die zweite Leiterstruktur (9) zwecks Beaufschlagung der ersten Leiterstruktur (3) mit diesem Potential,
- Verwenden dieses Potentials für eine erfolgende Galvanisierung der ersten Leiterstruktur (3) zum Erzeugen einer elektrisch leitenden Schicht (22) auf der Außenseite der ersten Leiterstruktur (3) und
- Trennen der Querverbindung (15) durch Ausbohren des Verbindungskanals (18).</p><p>Weiterhin betrifft die Erfindung eine Mehrlagenleiterplatte mit einer entsprechend galvanisierten ersten Leiterstruktur auf der Oberseite der Mehrlagenleiterplatte.
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