发明名称 溅镀方法
摘要 [课题]提供一种:在对起因于处理基板之充电的异常放电之发生作抑制的同时,防止薄膜形成速度之大幅增加,并对于大面积之处理基板而能够良好地形成薄膜之溅镀方法。[解决手段]对于在溅镀室(12)内而与处理基板(S)相对向且空出有特定之间隔地被并排设置的复数枚标靶(41a)乃至(41h)中之分别成对的标靶,以特定之频率来交互地改变极性而投入电力,来将各标靶交互切换为阳极电极、阴极电极,并在阳极电极以及阴极电极之间使辉光放电产生而形成电浆氛围,而对各标靶作溅镀。在溅镀中,将对于各标靶之投入电力作间歇性减少。
申请公布号 TW200914640 申请公布日期 2009.04.01
申请号 TW097131734 申请日期 2008.08.20
申请人 爱发科股份有限公司 发明人 新井真;清田淳也;市桥佑次;小岛雄司
分类号 C23C14/34(2006.01);C23C14/54(2006.01);H01L21/3205(2006.01) 主分类号 C23C14/34(2006.01)
代理机构 代理人 林志刚
主权项
地址 日本