发明名称 半导体装置及打线方法
摘要 于半导体装置,能减低对半导体晶粒造成之损伤且能以较少之接合次数进行引线之连接。该半导体装置,具有:第一层压接部100,将将起始球接合于第一层半导体晶粒11之第一层垫14形成的球颈压溃,将折回之引线侧面压接于压溃之球颈上所形成者;第1引线25,从第一层压接部100朝引16之方向延伸者;及第2引线26,从第二层半导体晶粒12之第二层垫15朝第一层压接部100环围,而接合于第二层压接部200之第二层垫15侧。
申请公布号 TW200915450 申请公布日期 2009.04.01
申请号 TW097105104 申请日期 2008.02.14
申请人 新川股份有限公司 发明人 三井龙成;木内逸人
分类号 H01L21/60(2006.01) 主分类号 H01L21/60(2006.01)
代理机构 代理人 桂齐恒;阎启泰
主权项
地址 日本