制作快闪存储器的方法

摘要

本发明提供一种制作一快闪存储器的方法，首先提供一半导体基底，其表面包含绝缘浅沟结构，沿着第一方向相邻的绝缘浅沟结构之间定义为一有源区域。然后依序制作浮置栅极介电层、导电层、介电层、控制栅极以及盖层。接着于盖层和控制栅极两侧形成间隔壁，移除未被间隔壁与盖层覆盖的介电层、导电层与浮置栅极介电层，然后进行SEG工艺，于有源区域内暴露的半导体基底上形成一外延层，再进行一离子注入工艺，于有源区域的外延层与半导体基底中形成一源极。

主权项

1. 一种制作一快闪存储器的方法，其包含：提供一半导体基底，其表面包含多个绝缘浅沟结构，沿着一第一方向相邻的所述绝缘浅沟结构之间定义为一有源区域；在该半导体基底上依序形成一浮置栅极介电层、一第一导电层、一介电层、一控制栅极以及一盖层；在该盖层与该控制栅极的两侧分别形成一间隔壁；进行一蚀刻工艺，移除未被所述间隔壁与该盖层覆盖的部分该介电层、该第一导电层与该浮置栅极介电层，以形成一堆迭结构，并且该堆迭结构的一侧是与该有源区域相邻；进行一选择性外延成长工艺，以在该有源区域内暴露的该半导体基底上形成一外延层；以及进行一离子注入工艺，以在该有源区域的该外延层与该半导体基底中形成一源极。